Математичне та комп’ютерне моделювання деформаційно-дифузійних процесів у тришарових напружених наногетеросистемах

Автор(и)

  • Роман Михайлович Пелещак Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, м. Дрогобич, Україна
  • Микола Васильович Дорошенко Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, м. Дрогобич, Україна

DOI:

https://doi.org/10.32626/2308-5878.2014-11.195-209

Ключові слова:

математична модель, точкові дефекти, самоузгоджена задача, рівняння дифузії, крайова задача, перетворення Лапласа.

Анотація

Побудовано з врахуванням самоузгодженої деформаційно-дифузійної взаємодії математичну модель просторово-часового розподілу точкових дефектів (міжвузлових атомів, вакансій) у тришаровій напруженій наногетеросистемі. Реалізовано ком­п’ю­терне моделювання перерозподілу точкових дефектів в системі комп’ютерної математики Mathematica 7.0. Розв’язок отриманих крайових задач для диференційних рівнянь отримано з використанням прямих та обернених перетворень Лапласа.

Біографії авторів

Роман Михайлович Пелещак, Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, м. Дрогобич

доктор фізико-математичних наук, професор, завідувач кафедри загальної фізики

Микола Васильович Дорошенко, Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, м. Дрогобич

кандидат фізико-математичних наук, доцент, доцент кафедри інформатики та обчислювальної математики

Посилання

Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор / Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин и др. // ФТП. — 1998. — T. 32, № 4. — С. 385–410.

Козловський В. И. Разрыв зон в структурах с одиночной квантовой ямой Zn1-xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs (001) эпитаксией из молекулярных пучков / В. И. Козловський, В. Г. Литвинов, Ю. Г. Садофьев // ФТП. — 2000. — Т. 34, № 8. — С. 998–1003.

Легирование слоев GaAs кремнием в условиях низкотемпературной мо-лекулярно-лучевой эпитаксии / М. Д. Вилисова, А. Е. Куницын, Л. Г. Лаврентьева и др. // ФТП. — 2002. — Т. 14, № 11. — C. 3157–3161.

Структура и свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре / М. Д. Вилисова, И. В. Иво-нин, Л. Г. Лаврентьева и др. // ФТП. — 1999. — Т. 33, № 8. — С. 900–905.

Влияние рассогласования параметров решеток на структурные, оптические и транспортные свойства слоев InGaAs, выращиваемых методом мо-лекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP (100) / А. Е. Жуков, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов и др. // ФТП. — 1997. — Т. 31, № 1. — С. 19–22.

Карпович И. А. Образование и пассивация дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовими ямами GaAs/InGaAs при обработке в водо-родной плазме / И. А. Карпович, А. В. Аншон, Д. О. Филатов // ФТП. — 1998. — T. 32, № 9. — С.1089–1093.

Пелещак Р. М. Самоорганізований дифузійно-деформаційний розподіл точкових дефектів у напружених гетеросистемах / Р. М. Пелещак, О. В. Кузик // УФЖ. — 2007. — Т. 52, № 7. — С. 689–694.

Кузик О. В. Деформація ґратки та просторовий перерозподіл точкових дефектів у напруженому епітаксійному шарі / О. В. Кузик, Р. М. Пелещак // УФЖ. — 2006. — Т. 51, № 4. — С. 404–407.

Emel’yanov V. I. A Hierarchy of the formation of nanometer clusters and peri-odic structures of laser-indused defects / V. I. Emel’yanov, I. M. Panin // Laser Physics. — 1996. — Vol. 6, № 5. — P. 971–978.

Chen Y. C. Suppression of defect propagation in semiconductors by pseudo-morphic layers / Y. C. Chen, J. Singh, P. K. Bhattacharya // J. Appl. Phys. — 1993. — Vol. 74, № 6. — Р. 3800–3804.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-07-10

Номер

2014: Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Фізико-математичні науки. Випуск 11

Розділ

Статті

Ліцензія

Authors who publish with this journal agree to the following terms:

  1. Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.
  2. Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.
  3. Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).