ТОПОЛОГІЯ ЧИСЕЛЬНОГО РОЗВ’ЯЗКУ ДВОВИМІРНОГО РІВНЯННЯ ПУАССОНА З НЕОДНОРІДНІСТЮ У ВИГЛЯДІ РЯДУ З УЗАГАЛЬНЕНИХ ФУНКЦІЙ

Автор(и)

  • Роман Михайлович Пелещак Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, м. Дрогобич, Україна
  • Микола Васильович Дорошенко Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, м. Дрогобич, Україна

DOI:

https://doi.org/10.32626/2308-5878.2013-9.73-82

Ключові слова:

математична модель, електростатичне поле, крайові задачі, рівняння Пуассона, узагальнені функції.

Анотація

Побудовано математичну модель топології розподілу 2D-електростатичного поля в діоді Шотткі з вбудованим шаром квантових точок, яка представляється у вигляді крайової задачі для двовимірного рівняння Пуассона з неоднорідністю у вигляді ряду з узагальнених функцій. Побудований чисельний алгоритм розв’язування крайової задачі методом послідовних надрелаксцій.

Посилання

Высота барьера в тушельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями точек / А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, С. В. Чайковський // Письма в ЖЭТФ. — 2002. — Вып. 75, № 2. — С. 113–117.

Lin S. D. Observevation of the negative differential capacitance in Schotivy diodes with dots near room temperature / S. D. Lin, V. V. Ilchenko, V. V. Marin // Appl. Phys. Lett. — 2007. — P. 90.

Двуреченский А. В. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками / А. В. Двуреченский, А. И. Якимов // УФН. — 2001. — Вып. 171. — С. 7.

ФТП / Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин и др. — 1998. — Т. 32, № 4. — С. 385–410.

Стасюк І. В. Деформаційні і електронні стани напівпровідника поблизу поділу областей з різними механічними напруженнями / І. В. Стасюк, Р. М. Пелещак // УФЖ. — 1994. — Вип. 39. — С. 856.

Peleshchak R. M. Electric properties of the interface quatum dot-matrix / R. M. Peleshchak, I. Ya. Bachynsky // Condensed Matter Physics. — 2009. — Vol. 12, №2. — P. 215–223.

Бейбалаев В. Д. О численном решении задачи Дирихле для уранения Пуассона с производными дробного порядка / В. Д. Бейбалаев // Вестн. Caм. гос. техн. ун-та. Сер. Физ.-мат. науки. — 2012. — С. 81-87.

Кутнів М. В. Чисельні методи / М. В. Кутнів. — Львів : Вид.-во Растр-7, 2010. — 288 с.

Мэтьюз Д. Г. Численные методы. Использование Matlab / Д. Г. Мэтьюз, К. Д. Финк. — М. ; СПб : Вильямс, 2001. — 713 с.

Марчук Г. И. Методы вычислительной математики / Г. И. Марчук. — М. : Наука, 1980. — 534 с.

Остудін Б. А. Розв’язність задачі Діріхле для рівняння Пуассона в просторі зі щілинами та еквівалентне інтегральне рівняння / Б. А. Остудін, Ю. М. Сибіль, А. В. Романенко // Вісник Львів. ун-та. Сер. Прикладна математика та інформатика. — 2003. — № 6. — С. 90–97.

Макаров В. Л. О функционально-разностном методе произвольного порядка точности решения задачи Штурма-Лиувиля с кусочно-гладкими коэффициентами / В. Л. Макаров // ДАН СССР. — 1991. — Т. 320, № 320. — С. 34–39.

Шашкин В.И. Управление характером токопереноса в барьре Шоттки с помощью легирования: расчет и експеримент для Al/GaAs / В. И. Шашкин, А. В. Мурель, В. М. Данильцев // ФТП. — 2002. — Т. 36, № 5. — С. 537–542.

Антонов Л. И. Методика решения задач по электричеству / Л. И. Антонов, Л. Г. Деденко, А. Н. Матвеев. — М. : Изд.-во МГУ, 1982. — 168 с.

Bisability of Resonant Tunnel Diode structure with InAs Quantum Dots / K. Yoh, H. Kazama, Y. Kitashou, T. Nekano // Phys.Stat.Sol.(b). — 1997. — Vol. 204, № 3. — P. 378–381.

Li H. W. Hysteresis in electronic transport through an ensemble of InAs selfassemled quantum dots / H. W. Li, T. H. Wang // Physica B. — 2001. — Vol. 301, № 1. — P. 174–179.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-11-22